张立瑶

一、个人简介：

张立瑶，讲师，上海市扬帆人才计划。

二、主要学习及工作经历

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2017.11-至今，上海理工大学，讲师

2017.02-2017.05，荷兰埃因霍芬理工大学，访问学者2015.04-2017.10，中科院上海微系统与信息技术研究所，博士后

2014.07-2015.03，中国电子科技集团公司第五十五研究所，工程师

2013.07-2014.06，中科院上海微系统与信息技术研究所，助理研究员

2008.09-2013.06，中科院上海技术物理研究所，微电子学与固体电子学，博士

2004.09-2008.06，华中科技大学，光信息科学与技术，学士

三、科研项目

1、主持：

(1) 2019.5-2022.4上海市扬帆计划，20万

(2) 2018.1-2019.12国家重点实验室开放课题，10万

2、参与：

(1) 2014.1-2018.7，973计划，1200万

(2) 2014.1-2018.12，国家自然基金重点项目，260万

(3) 2015.7-2015.12，华为技术有限公司横向课题，64万

四、科研成果

近三年一作、通讯发表主要论文如下：

1. L. Zhang, Y. Song, Q. Chen, et al. InPBi quantum dots for super-luminescence diodes. Nanomaterials 8.9 (2018): 705. ( IF: 3.504 )

2. L. Zhang, M. W, X. Chen, et al. Nanoscale distribution of Bi atoms in InP_1-xBi_x, Scientific Reports 7 (2017): 12278. ( IF: 4.122 )

3. L. Zhang, W. Pan, X. W, et al. Indium Phosphide Bismide, Progress in Metallic Alloys. InTech, ISBN (978-953-51-2697-3), Chapter 8, 2016.（专著）

4. W. Pan, L. Zhang*, L. Zhu, et al. Photoluminescence of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum wells grown by gas source molecular beam epitaxy, Semiconductor Science and Technology 32 (2016): 015007.（通讯作者）( IF: 2.28 )

5. W. Pan, L. Zhang*, L. Zhu, et al. Optical properties and band bending of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum well grown by gas source molecular beam epitaxy, Journal of Applied Physics 120 (2016): 105702. （通讯作者）( IF: 2.176 )

五、主要学术活动

1、2019年起，担任《Applied surface science》（IF：4.439）的审稿人

2、2018年起，担任《Superlattices and Microstructures》（IF：2.099）的审稿人

3、2016.7，“7th International Workshop on Bi-containing Semiconductors: Growth, Properties and Devices”组委会成员

六、研究方向

主要从事III-V族及IV族光电子材料和器件（激光器、LED、探测器等）的材料生长、表征、器件工艺及理论计算等。

七、联系方式

招生要求：物理、（光）电子相关专业，对半导体物理、固体物理有较好的功底。

E-mail：lyzhang@usst.edu.cn。